<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">trudyniisi</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Труды НИИСИ</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>SRISA Proceedings</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2225-7349</issn><issn pub-type="epub">3033-6422</issn><publisher><publisher-name>НИЦ «КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ» - НИИСИ</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">trudyniisi-102</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В МИКРО- И НАНО- ЭЛЕКТРОНИКЕ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>MODELING OF PHYSICAL PROCESSES IN MICRO- AND NANO- ELECTRONICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Проблемы и направления развития микросхем с перевёрнутым кристаллом</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Challenges and Directions of Development of Microchips with a Flip-Chip Technology</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Баранов</surname><given-names>А. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Baranov</surname><given-names>A. M.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Москва</p></bio><email xlink:type="simple">baranov@niisi.ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Подковыров</surname><given-names>А. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Podkovyrov</surname><given-names>A. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Москва</p></bio><email xlink:type="simple">barfey@cs.niisi.ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Андреев</surname><given-names>А. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Andreev</surname><given-names>A. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Москва</p></bio><email xlink:type="simple">alandreev@cs.niisi.ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru">ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН<country>Россия</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2024</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>08</day><month>12</month><year>2025</year></pub-date><volume>14</volume><issue>1</issue><fpage>4</fpage><lpage>10</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Баранов А.М., Подковыров А.А., Андреев А.В., 2025</copyright-statement><copyright-year>2025</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Баранов А.М., Подковыров А.А., Андреев А.В.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Baranov A.M., Podkovyrov A.A., Andreev A.V.</copyright-holder><license license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.t-niisi.ru/jour/article/view/102">https://www.t-niisi.ru/jour/article/view/102</self-uri><abstract><p>В работе описываются проблемы и направления развития микросхем с перевёрнутым кристаллом. Рассматриваются особенности и свойства полимерных и LTCC подложек. Приводятся основные характеристики микросхем, разработанных в ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН. Описана технология «система в корпусе» и ее преимущества.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The paper discusses the challenges and directions of development of microchips with a flip-chip technology. The features and properties of polymer and LTCC substrates are considered. The main characteristics of microchips developed at the SRISA RAS are presented. The "System-in-Package" technology and its advantages are described.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>технология перевернутого кристалла</kwd><kwd>низкотемпературные керамические подложки</kwd><kwd>полимерные подложки</kwd><kwd>система в корпусе</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>Flip-Chip technology</kwd><kwd>LTCC packages</kwd><kwd>organic packages</kwd><kwd>System-in-Package</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Баранов А.М., Подковыров А.А., Андреев А.В. Опыт НИИСИ РАН по разработке подложек для микросхем с перевернутым кристаллом. Труды НИИСИ РАН. 2023. Т. 13. № 3. С. 30-35.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Баранов А.М., Подковыров А.А., Андреев А.В. Опыт НИИСИ РАН по разработке подложек для микросхем с перевернутым кристаллом. Труды НИИСИ РАН. 2023. Т. 13. № 3. С. 30-35.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гусева М.А. Циановые эфиры – перспективные термореактивные связующие (обзор) // Авиационные материалы и технологии. 2015. №2 (35). С. 45-50.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гусева М.А. Циановые эфиры – перспективные термореактивные связующие (обзор) // Авиационные материалы и технологии. 2015. №2 (35). С. 45-50.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Как умирал Закон Мура или эволюция транзисторов: от 2D к 3D. URL: https://club.dnsshop.ru/blog/t-100-protsessoryi/73291-kak-umiral-zakon-mura-ili-evolutsiya-tranzistorov-ot-2d-k-3d/. (дата обращения 12.02.2024)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Как умирал Закон Мура или эволюция транзисторов: от 2D к 3D. URL: https://club.dnsshop.ru/blog/t-100-protsessoryi/73291-kak-umiral-zakon-mura-ili-evolutsiya-tranzistorov-ot-2d-k-3d/. (дата обращения 12.02.2024)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Что такое чиплет? Преимущества и недостатки чиплетного дизайна. URL: https://club.dnsshop.ru/blog/t-100-protsessoryi/71441-chto-takoe-chiplet-preimuschestva-i-nedostatki-chipletnogodizaina/ (дата обращения 15.02.2024)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Что такое чиплет? Преимущества и недостатки чиплетного дизайна. URL: https://club.dnsshop.ru/blog/t-100-protsessoryi/71441-chto-takoe-chiplet-preimuschestva-i-nedostatki-chipletnogodizaina/ (дата обращения 15.02.2024)</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
