trudyniisiТруды НИИСИSRISA Proceedings2225-73493033-6422НИЦ «КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ» - НИИСИtrudyniisi-21Research ArticleПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ СБИСDESIGN AND MODELING OF VLSIИспользование при разработке СнК метода программной инжекции сбоев для оценки перехода на технологию с меньшими проектными нормамиUsing Fault Injection Technique in SoC Design Flow to Evaluate Shifting to a Smaller Technology NodeЧерняковП. О.ChernyakovP.

Москва

chernyakov@cs.niisi.ras.ruСкоробогатовА. П.SkorobogatovA.

Москва

skorobog_a@cs.niisi.ras.ruФГУ ФНЦ НИИСИ РАНРоссия2022151020251245660Copyright © Черняков П.О., Скоробогатов А.П., 20252025Черняков П.О., Скоробогатов А.П.Chernyakov P., Skorobogatov A.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.t-niisi.ru/jour/article/view/21

В данной работе представлен подход к оценке достаточности применяемых мер парирования сбоев в цифровых блоках систем на кристалле (СнК) при переходе на технологию с меньшими проектными нормами и целесообразности данного перехода при условии сохранения прежнего уровня сбоеустойчивости. Подход основан на методе программной инжекции сбоев и продемонстрирован на примере переноса контроллера внешней статической памяти с технологии с 250 нм проектными нормами на технологию с 65 нм проектными нормами.

This paper presents an approach to assessing the sufficiency of the measures used to mitigation faults in digital blocks of system-on-chip (SoC) during the shifting to technology with smaller technology node and the feasibility of this shifting, provided that the previous level of fault tolerance is maintained. The approach is based on the fault injection technique and is demonstrated by the example of shifting an external static memory controller from 250 nm to 65 nm technology.

резервированиеТМРSEUSETинжекция сбоевredundancyTMRSEUSETfault injectionReferencesP. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt, J. R. Schwank, J. A. Felix. Current and future challenges in radiation effects on cmos electronics. “IEEE Transactions on Nuclear Science”, V. 57 (2010), No. 4, 1747–1763. ISSN:0018-9499. DOI: 10.1109/TNS.2010.2042613.P. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt, J. R. Schwank, J. A. Felix. Current and future challenges in radiation effects on cmos electronics. “IEEE Transactions on Nuclear Science”, V. 57 (2010), No. 4, 1747–1763. ISSN:0018-9499. DOI: 10.1109/TNS.2010.2042613.И.А. Данилов, А.И. Шнайдер (Хазанова), А.О. Балбеков, М.С. Горбунов, А.А. Антонов. Маршрут разработки сбоеустойчивых СБИС с помощью программной инжекции сбоев с учетом топологии. «Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радио-электронную аппаратуру», 2019, Вып. 4, 5–10.И.А. Данилов, А.И. Шнайдер (Хазанова), А.О. Балбеков, М.С. Горбунов, А.А. Антонов. Маршрут разработки сбоеустойчивых СБИС с помощью программной инжекции сбоев с учетом топологии. «Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радио-электронную аппаратуру», 2019, Вып. 4, 5–10.P. Chernyakov et al. Comparative Analysis of Layout-Aware Fault Injection on TMR-based DMA Controllers, “2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics (MIEL)”, Nis, Serbia, 2019, 289–292. DOI: 10.1109/MIEL.2019.8889643.P. Chernyakov et al. Comparative Analysis of Layout-Aware Fault Injection on TMR-based DMA Controllers, “2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics (MIEL)”, Nis, Serbia, 2019, 289–292. DOI: 10.1109/MIEL.2019.8889643.П.О. Черняков, А.П. Скоробогатов. Баланс сбоеустойчивости и быстродействия при переходе от 250 нм КНИ к 65 нм объемной КМОП технологии на примере контроллера памяти. «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2021»: 24-я Всероссийская научно-техническая конференция. Лыткарино, 8–9 июня 2021 г. (тезисы)», Лыткарино, Изд-во Научно-исследовательский институт приборов, 2021, 26–27.П.О. Черняков, А.П. Скоробогатов. Баланс сбоеустойчивости и быстродействия при переходе от 250 нм КНИ к 65 нм объемной КМОП технологии на примере контроллера памяти. «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2021»: 24-я Всероссийская научно-техническая конференция. Лыткарино, 8–9 июня 2021 г. (тезисы)», Лыткарино, Изд-во Научно-исследовательский институт приборов, 2021, 26–27.M. D. Berg, H. S. Kim, A. M. Phan, C. M. Seidleck, K. A. LaBel, J. A. Pellish, M. J. Campola. The effects of race conditions when implementing single-source redundant clock trees in triple modular redundant synchronous architectures. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.M. D. Berg, H. S. Kim, A. M. Phan, C. M. Seidleck, K. A. LaBel, J. A. Pellish, M. J. Campola. The effects of race conditions when implementing single-source redundant clock trees in triple modular redundant synchronous architectures. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.A. Evans, M. Glorieux, D. Alexandrescu, C.B. Polo, V. Ferlet-Cavrois. Single event multiple transient (SEMT) measurements in 65 nm bulk technology. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.A. Evans, M. Glorieux, D. Alexandrescu, C.B. Polo, V. Ferlet-Cavrois. Single event multiple transient (SEMT) measurements in 65 nm bulk technology. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.