trudyniisiТруды НИИСИSRISA Proceedings2225-73493033-6422НИЦ «КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ» - НИИСИtrudyniisi-88Research ArticleПРОЕКТИРОВАНИЕ И МОДЕЛИРОВАНИЕ СБИСDESIGN AND MODELING OF VLSIОптимизация резервирования с разнесением чувствительных областей для сбоеустойчивых систем на кристаллеOptimization of Redundancy with Separation of Sensitive Areas for Fault-tolerant System-on-chipЧерняковП. О.ChernyakovP.

Москва

ЖелудковН. В.ZheludkovN.

Москва

nvgel@cs.niisi.ras.ruЛаднушкинМ. С.LadnushkinM.

Москва

maxsl@cs.niisi.ras.ruАнтоновА. А.AntonovA.

Москва

antonov@niisi.msk.ruЛазаревВ. Ю.LazarevV.

Москва

lazarev@niisi.msk.ruФГУ ФНЦ НИИСИ РАНРоссияФНЦ НИИСИ РАНРоссия202405122025143914Copyright © Черняков П.О., Желудков Н.В., Ладнушкин М.С., Антонов А.А., Лазарев В.Ю., 20252025Черняков П.О., Желудков Н.В., Ладнушкин М.С., Антонов А.А., Лазарев В.Ю.Chernyakov P., Zheludkov N., Ladnushkin M., Antonov A., Lazarev V.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.t-niisi.ru/jour/article/view/88

В данной работе описан модифицированный в сравнении с предыдущими разработками способ троирования с разнесением чувствительных областей цифровой синтезируемой логики, который позволяет добиться лучших показателей по занимаемой площади. Приведено сравнение характеристик троированных блоков, разработанных с использованием разных маршрутов. Результаты данной работы применимы в маршруте проектирования сбоеустойчивых систем на кристалле и апробированы для тестового кристалла по технологии с проектными нормами 28 нм

This paper describes a modified compared to previous developments method of triple modular redundancy (TMR) with separation of sensitive areas of digital synthesized logic, which allows achieving better indicators in terms of occupied area. A comparison of the characteristics of blocks with TMR developed using different design flow. The results of this work are applicable in the design flow of fault-tolerant systems on a chip and were used in the development of a test chip using 28 nm technology node.

сбоеустойчивостьтройное модульное резервированиеСнКСБИС1fault tolerancetriple modular redundancySoCVLSIReferencesP. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt, J. R. Schwank, J. A. Felix. Current and future challenges in radiation effects on cmos electronics. “IEEE Transactions on Nuclear Science”, V. 57 (2010), No. 4, 1747–1763. ISSN:0018-9499. DOI: 10.1109/TNS.2010.2042613.P. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt, J. R. Schwank, J. A. Felix. Current and future challenges in radiation effects on cmos electronics. “IEEE Transactions on Nuclear Science”, V. 57 (2010), No. 4, 1747–1763. ISSN:0018-9499. DOI: 10.1109/TNS.2010.2042613.M. D. Berg, H. S. Kim, A. M. Phan, C. M. Seidleck, K. A. LaBel, J. A. Pellish, M. J. Campola. The effects of race conditions when implementing single-source redundant clock trees in triple modular redundant synchronous architectures. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.M. D. Berg, H. S. Kim, A. M. Phan, C. M. Seidleck, K. A. LaBel, J. A. Pellish, M. J. Campola. The effects of race conditions when implementing single-source redundant clock trees in triple modular redundant synchronous architectures. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.А.А. Антонов, А.О. Власов, Е.А. Гагарин. Применение троирования нетлиста в стандартном маршруте синтеза СБИС. «Труды НИИСИ», Т. 7 (2017), № 2, 120-124.А.А. Антонов, А.О. Власов, Е.А. Гагарин. Применение троирования нетлиста в стандартном маршруте синтеза СБИС. «Труды НИИСИ», Т. 7 (2017), № 2, 120-124.А.А. Антонов, А.О. Власов, Е.А. Гагарин, О.В. Мещерякова. Особенности разработки троированной СБИС по технологии 65нм. «Труды НИИСИ», Т. 8 (2018), № 3, 5-9.А.А. Антонов, А.О. Власов, Е.А. Гагарин, О.В. Мещерякова. Особенности разработки троированной СБИС по технологии 65нм. «Труды НИИСИ», Т. 8 (2018), № 3, 5-9.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.