Для цитирования:

Масальский Н.В. Влияние случайных флуктуаций легирующей примеси на характеристики полевых кремниевых GAA нанотранзисторов. Труды НИИСИ. 2024;14(1):11-17.

For citation:

Masalsky N. The Effect of Random Fluctuations of a Doping Impurity on the Characteristics of Field-Effect Silicon GAA Nanotransistors. SRISA Proceedings. 2024;14(1):11-17. (In Russ.)