Использование при разработке СнК метода программной инжекции сбоев для оценки перехода на технологию с меньшими проектными нормами
Аннотация
В данной работе представлен подход к оценке достаточности применяемых мер парирования сбоев в цифровых блоках систем на кристалле (СнК) при переходе на технологию с меньшими проектными нормами и целесообразности данного перехода при условии сохранения прежнего уровня сбоеустойчивости. Подход основан на методе программной инжекции сбоев и продемонстрирован на примере переноса контроллера внешней статической памяти с технологии с 250 нм проектными нормами на технологию с 65 нм проектными нормами.
Об авторах
П. О. Черняков
ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН
Россия
Россия
Москва
А. П. Скоробогатов
ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН
Россия
Россия
Москва
Список литературы
1. P. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt, J. R. Schwank, J. A. Felix. Current and future challenges in radiation effects on cmos electronics. “IEEE Transactions on Nuclear Science”, V. 57 (2010), No. 4, 1747–1763. ISSN:0018-9499. DOI: 10.1109/TNS.2010.2042613.
2. И.А. Данилов, А.И. Шнайдер (Хазанова), А.О. Балбеков, М.С. Горбунов, А.А. Антонов. Маршрут разработки сбоеустойчивых СБИС с помощью программной инжекции сбоев с учетом топологии. «Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радио-электронную аппаратуру», 2019, Вып. 4, 5–10.
3. P. Chernyakov et al. Comparative Analysis of Layout-Aware Fault Injection on TMR-based DMA Controllers, “2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics (MIEL)”, Nis, Serbia, 2019, 289–292. DOI: 10.1109/MIEL.2019.8889643.
4. П.О. Черняков, А.П. Скоробогатов. Баланс сбоеустойчивости и быстродействия при переходе от 250 нм КНИ к 65 нм объемной КМОП технологии на примере контроллера памяти. «Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2021»: 24-я Всероссийская научно-техническая конференция. Лыткарино, 8–9 июня 2021 г. (тезисы)», Лыткарино, Изд-во Научно-исследовательский институт приборов, 2021, 26–27.
5. M. D. Berg, H. S. Kim, A. M. Phan, C. M. Seidleck, K. A. LaBel, J. A. Pellish, M. J. Campola. The effects of race conditions when implementing single-source redundant clock trees in triple modular redundant synchronous architectures. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.
6. A. Evans, M. Glorieux, D. Alexandrescu, C.B. Polo, V. Ferlet-Cavrois. Single event multiple transient (SEMT) measurements in 65 nm bulk technology. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.
Рецензия
Для цитирования:
Черняков П.О., Скоробогатов А.П. Использование при разработке СнК метода программной инжекции сбоев для оценки перехода на технологию с меньшими проектными нормами. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ И КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СЛОЖНЫХ СИСТЕМ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ. 2022;12(4):56-60.
For citation:
Chernyakov P., Skorobogatov A. Using Fault Injection Technique in SoC Design Flow to Evaluate Shifting to a Smaller Technology Node. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ И КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ СЛОЖНЫХ СИСТЕМ: ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ АСПЕКТЫ. 2022;12(4):56-60. (In Russ.)
Просмотров:
12
Послать статью по эл. почте 