Оптимизация резервирования с разнесением чувствительных областей для сбоеустойчивых систем на кристалле
Аннотация
В данной работе описан модифицированный в сравнении с предыдущими разработками способ троирования с разнесением чувствительных областей цифровой синтезируемой логики, который позволяет добиться лучших показателей по занимаемой площади. Приведено сравнение характеристик троированных блоков, разработанных с использованием разных маршрутов. Результаты данной работы применимы в маршруте проектирования сбоеустойчивых систем на кристалле и апробированы для тестового кристалла по технологии с проектными нормами 28 нм
Об авторах
П. О. Черняков
ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН
Россия
Россия
Москва
Н. В. Желудков
ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН
Россия
Россия
Москва
М. С. Ладнушкин
ФНЦ НИИСИ РАН
Россия
Россия
Москва
А. А. Антонов
ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН
Россия
Россия
Москва
В. Ю. Лазарев
ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН
Россия
Россия
Москва
Список литературы
1. P. E. Dodd, M. R. Shaneyfelt, J. R. Schwank, J. A. Felix. Current and future challenges in radiation effects on cmos electronics. “IEEE Transactions on Nuclear Science”, V. 57 (2010), No. 4, 1747–1763. ISSN:0018-9499. DOI: 10.1109/TNS.2010.2042613.
2. M. D. Berg, H. S. Kim, A. M. Phan, C. M. Seidleck, K. A. LaBel, J. A. Pellish, M. J. Campola. The effects of race conditions when implementing single-source redundant clock trees in triple modular redundant synchronous architectures. “Proceedings, 16th European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems (RADECS 2016)”, Germany, Bremen, 2016.
3. А.А. Антонов, А.О. Власов, Е.А. Гагарин. Применение троирования нетлиста в стандартном маршруте синтеза СБИС. «Труды НИИСИ», Т. 7 (2017), № 2, 120-124.
4. А.А. Антонов, А.О. Власов, Е.А. Гагарин, О.В. Мещерякова. Особенности разработки троированной СБИС по технологии 65нм. «Труды НИИСИ», Т. 8 (2018), № 3, 5-9.
Рецензия
Для цитирования:
Черняков П.О., Желудков Н.В., Ладнушкин М.С., Антонов А.А., Лазарев В.Ю. Оптимизация резервирования с разнесением чувствительных областей для сбоеустойчивых систем на кристалле. Труды НИИСИ. 2024;14(3):9-14.
For citation:
Chernyakov P., Zheludkov N., Ladnushkin M., Antonov A., Lazarev V. Optimization of Redundancy with Separation of Sensitive Areas for Fault-tolerant System-on-chip. SRISA Proceedings. 2024;14(3):9-14. (In Russ.)
Просмотров:
19
Послать статью по эл. почте 