Для цитирования:

Масальский Н.В. Чувствительность распределения потенциала в канале кремниевых GAA нанотранзисторов к аномальному поведению зернистости металлического затвора. Труды НИИСИ. 2024;14(4):47-53.

For citation:

Masalsky N. Sensitivity of the Potential Distribution in the Channel of Silicon GAA Nanotransistors to the Anomalous Behavior of the Metal Gate Grain. SRISA Proceedings. 2024;14(4):47-53. (In Russ.)