Для цитирования:

Масальский H.B. Теплопроводность кремниевого полевого GАА нанотранзистора с учетом шероховатости границы. Труды НИИСИ. 2025;15(1):26-32. https://doi.org/10.25682/NIISI.2025.1.0004

For citation:

Masalsky N.V. Thermal Conductivity of a Silicon GAA Field-Effect Nanotransistor, Taking into Account the Roughness of the Boundary. SRISA Proceedings. 2025;15(1):26-32. (In Russ.) https://doi.org/10.25682/NIISI.2025.1.0004