Для цитирования:

Масальский Н.В. Влияние зернистости металлического затвора кремниевых конических GAA нанотранзисторв на флуктуации порогового напряжения. Труды НИИСИ. 2023;13(4):111-116.

For citation:

Masalsky N. The Influence of the Drain Size of the Metal Gate of Silicon Conical GAA Nanotransistors on the Fluctuations of the Threshold Voltage. SRISA Proceedings. 2023;13(4):111-116. (In Russ.)